型号:
19MT050XFDatasheet
数量:
咨询
厂商:
Vishay Semiconductor Diodes Division
描述:
MOSFET 4N-CH 500V 31A MTP
货期:
原装现货

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详细信息

系列

HEXFET®

包装

散装

零件状态

过期

FET 类型

4 个 N 通道(H 桥)

FET 功能

标准

漏源极电压(Vdss)

500V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)

31A

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)

220 毫欧 @ 19A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)

6V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)

160nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)

7210pF @ 25V

功率 - 最大值

1140W

工作温度

-40°C ~ 150°C(TJ)

安装类型

底座安装

封装/外壳

16-MTP 模块

供应商器件封装

16-MTP

标准包装

15

其它名称

15mT ~ 150mT

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