晶体管 RFD3055LESM9A MOSFET - 单
发布时间：2018/10/9
RFD3055LESM9A介绍：
描述 MOSFET N-CH 60V 11A TO-252AA
制造商标准提前期 4 周
详细描述 表面贴装 N 沟道 60V 11A（Tc） 38W（Tc） TO-252AA
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商 ON Semiconductor
系列 -
包装 带卷（TR）
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 11A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 5V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 107 毫欧 @ 8A，5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 11.3nC @ 10V
Vgs（最大值） ±16V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 350pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 38W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 TO-252AA
封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
安富利（深圳）商贸有限公司介绍：
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理论上和实际证明，不同种类的晶体管可以在低于1伏到上千伏电压下工作，而电子管的第二电源（乙电）最低也要数伏，最高也就1000多伏，所以晶体管能被用在更广泛的电路中，使其他优势得以发挥。
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