晶体管 IRLML2502TRPBF MOSFET
发布时间：2018/9/6
IRLML2502TRPBF介绍：
描述 MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT-23
详细描述 表面贴装 N 沟道 20V 4.2A（Ta） 1.25W（Ta） Micro3?/SOT-23
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商 Infineon Technologies
系列 HEXFET?
包装 带卷（TR）
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4.2A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.5V，4.5V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 45 毫欧 @ 4.2A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.2V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 12nC @ 5V
Vgs（最大值） ±12V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 740pF @ 15V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 1.25W（Ta）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 Micro3?/SOT-23
封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
安富利（深圳）商贸有限公司介绍：
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金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管(field-effect transistor)。
Infineon公司是全球十大半导体制造商之一。1999年5月1日，西门子半导体公司正式更名为Infineon，总部设在德国慕尼黑。主要生产汽车和工业电子芯片、保密及IC卡应用IC、通讯多媒体芯片、存储器件等。
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