晶体管 - UGBT IKP40N65F5 MOSFET
发布时间：2018/7/19
IKP40N65F5介绍：
描述 IGBT 650V 74A 255W TO220-3
详细描述 IGBT 650V 74A 255W Through Hole PG-TO-220-3
类别 分立半导体产品
晶体管 - UGBT，MOSFET - 单
制造商 Infineon Technologies
系列 TrenchStop?
包装 ? 管件 ?
零件状态 在售
IGBT 类型 -
电压 - 集射极击穿（最大值） 650V
电流 - 集电极（Ic）（最大值） 74A
脉冲电流 - 集电极 (Icm) 120A
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on） 2.1V @ 15V，40A
功率 - 最大值 255W
开关能量 360μJ（开），100μJ（关）
输入类型 标准
栅极电荷 95nC
25°C 时 Td（开/关）值 19ns/160ns
测试条件 400V，20A，15 欧姆，15V
反向恢复时间（trr） 60ns
工作温度 -40°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-220-3
供应商器件封装 PG-TO-220-3
安富利（深圳）商贸有限公司介绍：
公司所销售产品涉及世界各名厂IC,:INFINEON(英飞凌)，XILINX、LINEAR、ALTERA(阿特拉 )、
ATMEL(爱特梅尔)、STC单片机、英特尔(Intel) 、德州仪器(TI)、飞利浦(Philip）、海力士(Hynix)、MITSUBISHI (三菱)、美国仿真器件(ADI)、国际整流器(IR)、
台湾硅成(ICSI)、三星(Samsung)、瑞萨(Renesas)、东芝(Toshiba)、意法(ST)、
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而IGFET的栅极绝缘层，有可能是其他物质，而非金氧半场效晶体管使用的氧化层。有些人在提到拥有多晶硅栅极的场效晶体管组件时比较喜欢用IGFET，但是这些IGFET多半指的是金氧半场效晶体管。
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