晶体管 - IGBT FS75R12KE3 半导体产品
发布时间：2018/7/18
FS75R12KE3介绍：
描述 IGBT MODULE 1200V 75A
制造商标准提前期 48 周
详细描述 IGBT Module NPT Three Phase Inverter 1200V 105A 350W Chassis Mount Module
类别 分立半导体产品
晶体管 - IGBT - 模块
制造商 Infineon Technologies
系列 -
零件状态 在售
IGBT 类型 NPT
配置 三相反相器
电压 - 集射极击穿（最大值） 1200V
电流 - 集电极（Ic）（最大值） 105A
功率 - 最大值 350W
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on） 2.15V @ 15V，75A
电流 - 集电极截止（最大值） 5mA
不同 Vce 时的输入电容（Cies） 5.3nF @ 25V
输入 标准
NTC 热敏电阻 是
工作温度 150°C（TJ）
安装类型 底座安装
封装/外壳 模块
供应商器件封装 模块
基本零件编号 V24B5H200
安富利（深圳）商贸有限公司介绍：
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在双极性晶体管中，射极到基极的很小的电流，会使得发射极到集电极之间，产生大电流；在场效应晶体管中，在栅极施加小电压，来控制源极和泄极之间的电流。
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