晶体管 FGP10N60UNDF MOSFET - 单
发布时间：2018/7/18
FGP10N60UNDF 介绍：
描述 IGBT 600V 20A 139W TO220-3
详细描述 IGBT NPT 600V 20A 139W Through Hole TO-220-3
类别 分立半导体产品
晶体管 - UGBT，MOSFET - 单
制造商 ON Semiconductor
系列 -
包装 ? 管件 ?
零件状态 在售
IGBT 类型 NPT
电压 - 集射极击穿（最大值） 600V
电流 - 集电极（Ic）（最大值） 20A
脉冲电流 - 集电极 (Icm) 30A
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on） 2.45V @ 15V，10A
功率 - 最大值 139W
开关能量 150μJ（开），50μJ（关）
输入类型 标准
栅极电荷 37nC
25°C 时 Td（开/关）值 8ns/52.2ns
测试条件 400V，10A，10 欧姆，15V
反向恢复时间（trr） 37.7ns
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-220-3
供应商器件封装 TO-220-3
安富利（深圳）商贸有限公司介绍：
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在双极性晶体管中，射极到基极的很小的电流，会使得发射极到集电极之间，产生大电流；在场效应晶体管中，在栅极施加小电压，来控制源极和泄极之间的电流。
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