FET MOSFET DMG2305UX-13 晶体管
发布时间：2018/4/25
DMG2305UX-13介绍；
描述 MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）
制造商标准提前期 16 周
详细描述 表面贴装 P 沟道 20V 4.2A（Ta） 1.4W（Ta） SOT-23
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商 Diodes Incorporated
系列 -
包装 ? 带卷（TR） ?
零件状态 在售
FET 类型 P 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4.2A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 1.8V，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 900mV @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 10.2nC @ 4.5V
Vgs（最大值） ±8V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 808pF @ 15V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 1.4W（Ta）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 52 毫欧 @ 4.2A、 4.5V
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 SOT-23
封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
安富利（深圳）商贸有限公司介绍；
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虽然数以百万计的单体晶体管还在使用，绝大多数的晶体管是和二极管|-{A|zh-cn:二极管；zh-tw:二极体}-，电阻，电容一起被装配在微芯片（芯片）上以制造完整的电路。模拟的或数字的或者这两者被集成在同一块芯片上。设计和开发一个复杂芯片的成本是相当高的，但是当分摊到通常百万个生产单位上，每个芯片的价格就是最小的。一个逻辑门包含20个晶体管，而2005年一个高级的微处理器使用的晶体管数量达2.89亿个。