FLASH MT29F32G08CBADAWP:D TR 存储器
发布时间：2018/4/19
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MT29F32G08CBADAWP:D TR介绍；
描述 IC FLASH 32GBIT 48TSOP
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL） 3（168 小时）
详细描述 FLASH - NAND 存储器 IC 32Gb （4G x 8） 并联 48-TSOP
类别 集成电路（IC）
存储器
制造商 Micron Technology Inc.
系列 -
包装 ? 带卷（TR） ?
零件状态 最後搶購
存储器类型 非易失
存储器格式 闪存
技术 FLASH - NAND
存储容量 32Gb （4G x 8）
写周期时间 - 字，页 -
存储器接口 并联
电压 - 电源 2.7 V ~ 3.6 V
工作温度 0°C ~ 70°C（TA）
安装类型 表面贴装
封装/外壳 48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽）
供应商器件封装 48-TSOP
基本零件编号 MT29F32G08
安富利（深圳）商贸有限公司介绍；
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构成存储器的存储介质，存储元，它可存储一个二进制代码。由若干个存储元组成一个存储单元，然后再由许多存储单元组成一个存储器。一个存储器包含许多存储单元，每个存储单元可存放一个字节（按字节编址）。每个存储单元的位置都有一个编号，即地址，一般用十六进制表示。一个存储器中所有存储单元可存放数据的总和称为它的存储容量。假设一个存储器的地址码由20位二进制数（即5位十六进制数）组成，则可表示2的20次方，即1M个存储单元地址。每个存储单元存放一个字节，则该存储器的存储容量为1MB。