FLASH MT29F16G08CBACAWP:C TR 存储器
发布时间：2018/4/19
MT29F16G08CBACAWP:C TR介绍；
描述 IC FLASH 16GBIT 48TSOP
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL） 3（168 小时）
详细描述 FLASH - NAND 存储器 IC 16Gb （2G x 8） 并联 48-TSOP I
类别 集成电路（IC）
存储器
制造商 Micron Technology Inc.
系列 -
包装 ? 带卷（TR） ?
零件状态 停產
存储器类型 非易失
存储器格式 闪存
技术 FLASH - NAND
存储容量 16Gb （2G x 8）
写周期时间 - 字，页 -
存储器接口 并联
电压 - 电源 2.7 V ~ 3.6 V
工作温度 0°C ~ 70°C（TA）
安装类型 表面贴装
封装/外壳 48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽）
供应商器件封装 48-TSOP I
基本零件编号 MT29F16G08
安富利（深圳）商贸有限公司介绍；
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以存储体（大量存储单元组成的阵列）为核心，加上必要的地址译码、读写控制电路，即为存储集成电路；再加上必要的I/O接口和一些额外的电路如存取策略管理，则形成存储芯片，比如手机中常用的存储芯片。得益于新的IC制造或芯片封装工艺，现在已经有能力把DRAM和FLASH存储单元集成在单芯片里。存储芯片再与控制芯片（负责复杂的存取控制、存储管理、加密、与其他器件的配合等）及时钟、电源等必要的组件集成在电路板上构成整机，就是一个存储产品，如U盘。从存储单元（晶体管阵列）到存储集成电路再到存储设备，都是为了实现信息的存储，区别是层次的不同。