现货代理 SIA450DJ-T1-GE3 VISHAY 分立半导体产品
发布时间:2017/6/3
零件编号 SIA450DJ-T1-GE3-ND
制造商 Vishay Siliconix
制造商零件编号 SIA450DJ-T1-GE3
无铅/符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
?湿气敏感性等级 (MSL) 1(无限)
一般信息
数据列表 SIA450DJ;
标准包装 3,000
包装 标准卷带
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET,MOSFET - 单
系列 TrenchFET?
规格
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压(Vdss) 240V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1.52A(Tc)
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 7.04nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 167pF @ 120V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 3.3W(Ta),15W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 2.9 欧姆 @ 700mA,10V
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 PowerPAK? SC-70-6 单
封装/外壳 PowerPAK? SC-70-6
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