IRF9Z24 IR 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 单

发布时间:2017/6/2

零件编号 IRF9Z24-ND

制造商 Vishay Siliconix

制造商零件编号 IRF9Z24

含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级(MSL 1(无限)

产品

类别 分立半导体产品

晶体管 - FETMOSFET - 

制造商 Vishay Siliconix

系列 -

包装 ? 管件 ?

零件状态 过期

FET 类型 沟道

技术 MOSFET(金属氧化物)

漏源极电压(Vdss 60V

电流 - 连续漏极(Id)(25°时) 11ATc

不同 Id 时的 Vgsth)(最大值) 4V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 19nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 570pF @ 25V

FET 功能 -

功率耗散(最大值) 60WTc

不同 IdVgs 时的 Rds On(最大值) 280 毫欧 @ 6.6A10V

工作温度 -55°C ~ 175°CTJ

安装类型 通孔

供应商器件封装 TO-220AB

封装/外壳 TO-220-3

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