晶体管 IRFR5305TRPBF FET-MOSFET
发布时间：2018/10/11
IRFR5305TRPBF介绍：
描述 MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
详细描述 表面贴装 P 沟道 55V 31A（Tc） 110W（Tc） D-Pak
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商 Infineon Technologies
系列 HEXFET?
包装 带卷（TR）
零件状态 在售
FET 类型 P 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 55V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 31A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 65 毫欧 @ 16A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 63nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1200pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 110W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 D-Pak
封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
安富利（深圳）商贸有限公司介绍：
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金属氧化物半导体场效应管（英语：Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET），简称金氧半场效晶体管，是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管。
Infineon公司是全球十大半导体制造商之一。1999年5月1日，西门子半导体公司正式更名为Infineon，总部设在德国慕尼黑。主要生产汽车和工业电子芯片、保密及IC卡应用IC、通讯多媒体芯片、存储器件等。1998年Infineon公司是全球十大半导体制造商之一。
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