晶体管 FDS6890A FET-MOSFET
发布时间：2018/10/9
FDS6890A介绍：
描述 MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8SOIC
制造商标准提前期 23 周
详细描述 2 个 N 沟道（双） Mosfet 阵列 20V 7.5A 900mW 表面贴装 8-SO
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
制造商 ON Semiconductor
系列 PowerTrench?
包装 带卷（TR）
零件状态 在售
FET 类型 2 个 N 沟道（双）
FET 功能 逻辑电平门
漏源电压（Vdss） 20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 7.5A
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 18 毫欧 @ 7.5A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 32nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2130pF @ 10V
功率 - 最大值 900mW
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装 8-SO
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场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。根据三极管的原理开发出的新一代放大元件，有3个极性，栅极，漏极，源极，它的特点是栅极的内阻极高，采用二氧化硅材料的可以达到几百兆欧，属于电压控制型器件。
ON Semiconductor-ON Semiconductor (Nasdaq: ON) 推动能效创新，帮助客户减少总体能源使用。 公司提供种类全面的产品组合，具体包括高能效电源和信号管理、逻辑、分立和定制解决方案，能帮助设计工程师解决在汽车、通信、计算、消费电子、工业、LED 照明、医疗、军事/航空航天和电源应用方面的独特设计难题。 |
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