晶体管 STW25N80K5 半导体产品
发布时间：2018/9/7
STW25N80K5介绍：
描述 MOSFET N-CH 800V 19.5A TO247
制造商标准提前期 42 周
详细描述 通孔 N 沟道 800V 19.5A（Tc） 250W（Tc） TO-247
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商 STMicroelectronics
系列 SuperMESH5??
包装 管件
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 800V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 19.5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 260 毫欧 @ 19.5A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 5V @ 100μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 40nC @ 10V
Vgs（最大值） ±30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1600pF @ 100V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 250W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-247
封装/外壳 TO-247-3
安富利（深圳）商贸有限公司介绍：
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晶体管有三个极: 双极性晶体管的三个极，分别由N型跟P型组成发射极（Emitter）、基极（Base）和集电极（Collector）; 场效应晶体管的三个极，分别是源极（Source）、栅极（Gate）和漏极（Drain）。
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