晶体管 MMBF170LT1G 半导体产品

发布时间：2018/9/4

MMBF170LT1G介绍：

描述 MOSFET N-CH 60V 500MA SOT-23

制造商标准提前期 40 周

详细描述表面贴装 N 沟道 60V 500mA（Ta） 225mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）

类别分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 单

制造商 ON Semiconductor

系列 -

包装带卷（TR）

零件状态在售

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 60V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 500mA（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 5 欧姆 @ 200mA，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 1mA

Vgs（最大值） ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 60pF @ 10V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 225mW（Ta）

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型表面贴装

供应商器件封装 SOT-23-3（TO-236）

封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

安富利（深圳）商贸有限公司介绍：

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仅为电子管的十分之一或几十分之一。它不像电子管那样需要加热灯丝以产生自由电子。一台晶体管收音机只要几节干电池就可以半年一年地听下去，这对电子管收音机来说，是难以做到的。

　公司的全球总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯，并在北美、欧洲和亚太地区等关键市场运营包括制造厂、销售办事处和设计中心的强大网络。

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