晶体管 APT94N60L2C3G 半导体产品
发布时间:2018/9/4
APT94N60L2C3G介绍:
描述 MOSFET N-CH 600V 94A TO264
制造商标准提前期 18 周
详细描述 通孔 N 沟道 600V 94A(Tc) 833W(Tc) 264 MAX? [L2]
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET,MOSFET - 单
制造商 Microsemi Corporation
系列 -
包装 管件
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 600V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 94A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 35 毫欧 @ 60A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.9V @ 5.4mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 640nC @ 10V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 13600pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 833W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 264 MAX? [L2]
封装/外壳 TO-264-3,TO-264AA
安富利(深圳)商贸有限公司介绍:
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在双极性晶体管中,射极到基极的很小的电流,会使得发射极到集电极之间,产生大电流;在场效应晶体管中,在栅极施加小电压,来控制源极和泄极之间的电流。
Microsemi的产品包括独立元器件和集成电路解决方案等,可通过改善性能和可靠性、优化电池、减小尺寸和保护电路而增强客户的设计能力。Microsemi公司所服务的主要市场包括植入式医疗机构、防御/航空和卫星、笔记本电脑、监视器和液晶电视、汽车和移动通信等应用领域。
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