晶体管 SI7850DP-T1-E3 FET -MOSFET
发布时间：2018/8/14
SI7850DP-T1-E3介绍：
描述 MOSFET N-CH 60V 6.2A PPAK SO-8
制造商标准提前期 33 周
详细描述 表面贴装 N 沟道 60V 6.2A（Ta） 1.8W（Ta） PowerPAK? SO-8
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商 Vishay Siliconix
系列 TrenchFET?
包装 ? 带卷（TR） ?
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6.2A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 22 毫欧 @ 10.3A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 27nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 1.8W（Ta）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 PowerPAK? SO-8
封装/外壳 PowerPAK? SO-8
安富利（深圳）商贸有限公司介绍：
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场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。根据三极管的原理开发出的新一代放大元件，有3个极性，栅极，漏极，源极，它的特点是栅极的内阻极高，采用二氧化硅材料的可以达到几百兆欧，属于电压控制型器件。
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