晶体管 SG2013J 双极 (BJT) - 阵列
发布时间：2018/7/10
SG2013J介绍：
描述 TRANS 7NPN DARL 50V 0.6A 16JDIP
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）
详细描述 Bipolar (BJT) Transistor Array 7 NPN Darlington 50V 600mA Through Hole 16-CDIP
类别 分立半导体产品
晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列
制造商 Microsemi Corporation
系列 -
包装 ? 管件 ?
零件状态 在售
晶体管类型 7 NPN 达林顿
电流 - 集电极（Ic）（最大值） 600mA
电压 - 集射极击穿（最大值） 50V
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） 1.9V @ 600μA，500mA
电流 - 集电极截止（最大值） -
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 900 @ 500mA，2V
功率 - 最大值 -
频率 - 跃迁 -
工作温度 150°C（TJ）
安装类型 通孔
封装/外壳 -
供应商器件封装 16-CDIP
安富利（深圳）商贸有限公司介绍：
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为了提高单电子晶体管的工作温度，必须使量子点的尺寸小于10纳米，目前世界各实验室都在想各种办法解决这个问题。有些实验室宣称已制出室温下工作的单电子晶体管，观察到由电子输运形成的台阶型电流——电压曲线，但离实用还有相当的距离。
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