晶体管 FDD1600N10ALZ MOSFET
发布时间：2018/7/5
FDD1600N10ALZ介绍：
描述 MOSFET N CH 100V 6.8A TO252-3
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）
制造商标准提前期 39 周
详细描述 表面贴装 N 沟道 100V 6.8A（Tc） 14.9W（Tc） DPAK
表面贴装 N 沟道 100V 6.8A（Tc） 14.9W（Tc） DPAK
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商 ON Semiconductor
系列 PowerTrench?
包装 ? 带卷（TR） ?
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6.8A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 5V，10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 160 毫欧 @ 3.4A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.8V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 3.61nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 225pF @ 50V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 14.9W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 DPAK
封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
安富利（深圳）商贸有限公司介绍：
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MOSFET里的氧化层位于其通道上方，依照其操作电压的不同，这层氧化物的厚度仅有数十至数百埃（Å）不等，通常材料是二氧化硅（silicon dioxide,SiO2），不过有些新的进阶制程已经可以使用如氮氧化硅（silicon oxynitride,SiON）做为氧化层之用。
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