晶体管 IXGH100N30C3 MOSFET
发布时间：2018/7/3
IXGH100N30C3介绍：
描述 IGBT 300V 75A 460W TO247
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）
制造商标准提前期 24 周
详细描述 IGBT PT 300V 75A 460W Through Hole TO-247AD (IXGH)
类别 分立半导体产品
晶体管 - UGBT，MOSFET - 单
制造商 IXYS
系列 GenX3??
包装 ? 管件 ?
零件状态 在售
IGBT 类型 PT
电压 - 集射极击穿（最大值） 300V
电流 - 集电极（Ic）（最大值） 75A
脉冲电流 - 集电极 (Icm) 500A
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on） 1.85V @ 15V，100A
功率 - 最大值 460W
开关能量 230μJ（开），520μJ（关）
输入类型 标准
栅极电荷 162nC
25°C 时 Td（开/关）值 23ns/105ns
测试条件 200V，50A，2 欧姆，15V
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-247-3
供应商器件封装 TO-247AD（IXGH）
安富利（深圳）商贸有限公司介绍：
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以金氧半场效晶体管（MOSFET）的命名来看，事实上会让人得到错误的印象。因为MOSFET跟英文单字“metal（金属）”的第一个字母M，在当下大部分同类的组件里是不存在的。早期金氧半场效晶体管栅极使用金属作为材料，但随着半导体技术的进步，现代的金氧半场效晶体管栅极已用多晶硅取代了金属。
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