晶体管 SCT30N120 FET
发布时间：2018/6/27
SCT30N120介绍：
描述 MOSFET N-CH 1200V 45A HIP247
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）
详细描述 通孔 N 沟道 1200V 40A（Tc） 270W（Tc） HiP247?
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商 STMicroelectronics
系列 -
包装 ? 管件 ?
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss） 1200V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 40A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 20V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 100 毫欧 @ 20A，20V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.6V @ 1mA（标准）
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 105nC @ 20V
Vgs（最大值） +25V，-10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1700pF @ 400V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 270W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 200°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 HiP247?
封装/外壳 TO-247-3
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具有输入电阻高(10^8~10^9Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者.
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