晶体管 FDS6982AS FET
发布时间：2018/6/25
FDS6982AS介绍：
描述 MOSFET 2N-CH 30V 6.3A/8.6A 8-SO
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）
制造商标准提前期 26 周
详细描述 Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6.3A, 8.6A 900mW Surface Mount 8-SO
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
制造商 ON Semiconductor
系列 PowerTrench?，SyncFET??
包装 ? 带卷（TR） ?
零件状态 在售
FET 类型 2 个 N 沟道（双）
FET 功能 逻辑电平门
漏源电压（Vdss） 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6.3A，8.6A
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 28 毫欧 @ 6.3A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 15nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 610pF @ 10V
功率 - 最大值 900mW
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装 8-SO
安富利（深圳）商贸有限公司介绍：
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判定栅极G:将万用表拨至R×1k档，用万用表的负极任意接一电极，另一只表笔依次去接触其余的两个极，测其电阻.若两次测得的电阻值近似相等，则负表笔所接触的为栅极，另外两电极为漏极和源极.漏极和源极互换，若两次测出的电阻都很大，则为N沟道;若两次测得的阻值都很小，则为P沟道。
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