晶体管 APT64GA90B MOSFET
发布时间：2018/6/15
APT64GA90B介绍：
描述 IGBT 900V 117A 500W TO-247
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）
制造商标准提前期 29 周
详细描述 IGBT PT 900V 117A 500W Through Hole
类别 分立半导体产品
晶体管 - UGBT，MOSFET - 单
制造商 Microsemi Corporation
系列 POWER MOS 8??
包装 ? 管件 ?
零件状态 在售
IGBT 类型 PT
电压 - 集射极击穿（最大值） 900V
电流 - 集电极（Ic）（最大值） 117A
脉冲电流 - 集电极 (Icm) 193A
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on） 3.1V @ 15V，38A
功率 - 最大值 500W
开关能量 1192μJ（开），1088μJ（关）
输入类型 标准
栅极电荷 162nC
25°C 时 Td（开/关）值 18ns/131ns
测试条件 600V，38A，4.7 欧姆，15V
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-247-3 变式
安富利（深圳）商贸有限公司介绍：
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金属氧化物半导体场效应管依照其“沟道”极性的不同，可分为电子占多数的N沟道型与空穴占多数的P沟道型，通常被称为N型金氧半场效晶体管（NMOSFET）与P型金氧半场效晶体管（PMOSFET）。
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