晶体管 SIA811ADJ-T1-GE3 MOSFET
发布时间：2018/6/15
SIA811ADJ-T1-GE3介绍：
描述 MOSFET P-CH 20V 4.5A PPAK SC70-6
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）
详细描述 表面贴装 P 沟道 20V 4.5A（Tc） 1.8W（Ta），6.5W（Tc） PowerPAK? SC-70-6 双
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商 Vishay Siliconix
系列 LITTLE FOOT?
包装 ? 带卷（TR） ?
零件状态 在售
FET 类型 P 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4.5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 1.8V，4.5V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 116 毫欧 @ 2.8A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 13nC @ 8V
Vgs（最大值） ±8V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 345pF @ 10V
FET 功能 肖特基二极管（隔离式）
功率耗散（最大值） 1.8W（Ta），6.5W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 PowerPAK? SC-70-6 双
封装/外壳 PowerPAK? SC-70-6 双
安富利（深圳）商贸有限公司介绍：
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今日半导体组件的材料通常以硅为首选，但是也有些半导体公司发展出使用其他半导体材料的制程，当中最著名的例如IBM使用硅与锗的混合物所发展的硅锗制程（SiGe process）。
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