晶体管 SH8K2TB1 阵列
发布时间：2018/6/4
SH8K2TB1介绍：
描述 MOSFET 2N-CH 30V 6A SOP8
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）
详细描述 Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6A 2W Surface Mount 8-SOP (5.0x6.0)
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
制造商 Rohm Semiconductor
系列 -
包装 ? 带卷（TR） ?
零件状态 不適用於新設計
FET 类型 2 个 N 沟道（双）
FET 功能 逻辑电平门
漏源电压（Vdss） 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6A
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 30 毫欧 @ 6A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 10.1nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 520pF @ 10V
功率 - 最大值 2W
工作温度 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
封装/外壳 8-SMD，鸥翼
供应商器件封装 8-SOP（5.0x6.0）
基本零件编号 *K2
安富利（深圳）商贸有限公司介绍：
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理论上和实际证明，不同种类的晶体管可以在低于1伏到上千伏电压下工作，而电子管的第二电源（乙电）最低也要数伏，最高也就1000多伏，所以晶体管能被用在更广泛的电路中，使其他优势得以发挥。
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