MOSFET - 单 RTE002P02TL 半导体产品
发布时间：2018/5/30
RTE002P02TL介绍：
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商 Rohm Semiconductor
系列 -
包装 ? 带卷（TR） ?
零件状态 不適用於新設計
FET 类型 P 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 200mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.5V，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 1mA
Vgs（最大值） ±12V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 50pF @ 10V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 150mW（Ta）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 1.5 欧姆 @ 200mA，4.5V
工作温度 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 EMT3
封装/外壳 SC-75，SOT-416
安富利（深圳）商贸有限公司介绍：
公司所销售产品涉及世界各名厂IC,:INFINEON(英飞凌)，XILINX、LINEAR、ALTERA(阿特拉 )、
ATMEL(爱特梅尔)、STC单片机、英特尔(Intel) 、德州仪器(TI)、飞利浦(Philip）、海力士(Hynix)、MITSUBISHI (三菱)、美国仿真器件(ADI)、国际整流器(IR)、
台湾硅成(ICSI)、三星(Samsung)、瑞萨(Renesas)、东芝(Toshiba)、意法(ST)、
摩托罗拉(Motorola)、仙童(Fairchid)、美国美商半导体(AMD)、爱特梅尔(Atmel）、安捷伦;
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以金氧半场效晶体管（MOSFET）的命名来看，事实上会让人得到错误的印象。因为MOSFET跟英文单字“metal（金属）”的第一个字母M，在当下大部分同类的组件里是不存在的。早期金氧半场效晶体管栅极使用金属作为材料，但随着半导体技术的进步，现代的金氧半场效晶体管栅极已用多晶硅取代了金属。
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