晶体管 AOU3N50 半导体产品
发布时间：2018/5/30
AOU3N50介绍：
描述 MOSFET N-CH 500V 2.8A IPAK
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）
制造商标准提前期 20 周
详细描述 通孔 N 沟道 500V 2.8A（Tc） 57W（Tc） TO-251-3
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商 Alpha & Omega Semiconductor Inc.
系列 -
包装 ? 管件 ?
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 500V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.8A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4.5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 8nC @ 10V
Vgs（最大值） ±30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 331pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 57W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 3 欧姆 @ 1.5A，10V
工作温度 -50°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-251-3
封装/外壳 TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
安富利（深圳）商贸有限公司介绍：
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虽然数以百万计的单体晶体管还在使用，但是绝大多数的晶体管是和电阻、电容一起被装配在微芯片（芯片）上以制造完整的电路。模拟的或数字的或者这两者被集成在同一块芯片上。设计和开发一个复杂芯片的成本是相当高的，但是当分摊到通常百万个生产单位上，每个芯片的价格就是最小的。
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