晶体管 MII200-12A4 模块
发布时间：2018/5/28
MII200-12A4介绍：
描述 MOD IGBT RBSOA 1200V 270A Y3-DCB
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）
制造商标准提前期 32 周
详细描述 IGBT Module NPT Half Bridge 1200V 270A 1130W Chassis Mount Y3-DCB
类别 分立半导体产品
晶体管 - IGBT - 模块
制造商 IXYS
系列 -
零件状态 在售
IGBT 类型 NPT
配置 半桥
电压 - 集射极击穿（最大值） 1200V
电流 - 集电极（Ic）（最大值） 270A
功率 - 最大值 1130W
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on） 2.7V @ 15V，150A
电流 - 集电极截止（最大值） 10mA
不同 Vce 时的输入电容（Cies） 11nF @ 25V
输入 标准
NTC 热敏电阻 无
工作温度 150°C（TJ）
安装类型 底座安装
封装/外壳 Y3-DCB
供应商器件封装 Y3-DCB
基本零件编号 MII
安富利（深圳）商贸有限公司介绍：
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比电子管可靠100倍，耐冲击、耐振动，这都是电子管所无法比拟的。另外，晶体管的体积只有电子管的十分之一到百分之一，放热很少，可用于设计小型、复杂、可靠的电路。晶体管的制造工艺虽然精密，但工序简便，有利于提高元器件的安装密度。
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