晶体管 BSC0911ND FET
发布时间：2018/5/21
BSC0911ND介绍：
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
制造商 Infineon Technologies
系列 OptiMOS??
包装 ? 带卷（TR） ?
零件状态 在售
FET 类型 2 N 沟道（双）非对称型
FET 功能 逻辑电平栅极，4.5V 驱动
漏源电压（Vdss） 25V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 18A，30A
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 3.2 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 12nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1600pF @ 12V
功率 - 最大值 1W
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
封装/外壳 8-PowerTDFN
供应商器件封装 PG-TISON-8
安富利（深圳）商贸有限公司介绍：
公司所销售产品涉及世界各名厂IC,:INFINEON(英飞凌)，XILINX、LINEAR、ALTERA(阿特拉 )、
ATMEL(爱特梅尔)、STC单片机、英特尔(Intel) 、德州仪器(TI)、飞利浦(Philip）、海力士(Hynix)、MITSUBISHI (三菱)、美国仿真器件(ADI)、国际整流器(IR)、
台湾硅成(ICSI)、三星(Samsung)、瑞萨(Renesas)、东芝(Toshiba)、意法(ST)、
摩托罗拉(Motorola)、仙童(Fairchid)、美国美商半导体(AMD)、爱特梅尔(Atmel）、安捷伦;
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在双极性晶体管中，射极到基极的很小的电流，会使得发射极到集电极之间，产生大电流；在场效应晶体管中，在栅极施加小电压，来控制源极和泄极之间的电流。
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