晶体管 SGW25N120 MOSFET
发布时间：2018/5/17
SGW25N120介绍：
类别 分立半导体产品
晶体管 - UGBT，MOSFET - 单
制造商 Infineon Technologies
系列 -
包装 ? 管件 ?
零件状态 不適用於新設計
IGBT 类型 NPT
电压 - 集射极击穿（最大值） 1200V
电流 - 集电极（Ic）（最大值） 46A
脉冲电流 - 集电极 (Icm) 84A
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on） 3.6V @ 15V，25A
功率 - 最大值 313W
开关能量 3.7mJ
输入类型 标准
栅极电荷 225nC
25°C 时 Td（开/关）值 45ns/730ns
测试条件 800V，25A，22 欧姆，15V
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-247-3
供应商器件封装 PG-TO247-3
安富利（深圳）商贸有限公司介绍：
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三极管处于放大状态还是开关状态要看给三极管基极加的直流偏 置，随这个电流变化，三极管工作状态由截止-线性区-饱和状态变化而变， 如果三极管Ib（直流偏置点）一定时，三极管工作在线性区，此时Ic电流的变化只随着Ib的交流信号变化，Ib继续升高，三极管进入饱和状态，此时三极管的Ic不再变化，三极管将工作在开关状态。
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