晶体管 SI1499DH-T1-GE3 FET
发布时间：2018/5/17
SI1499DH-T1-GE3介绍：
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商 Vishay Siliconix
系列 TrenchFET?
包装 ? 带卷（TR） ?
零件状态 在售
FET 类型 P 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 8V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1.6A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 1.2V，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 800mV @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 16nC @ 4.5V
Vgs（最大值） ±5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 650pF @ 4V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 2.5W（Ta），2.78W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 78 毫欧 @ 2A，4.5V
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 SC-70-6（SOT-363）
封装/外壳 6-TSSOP，SC-88，SOT-363
安富利（深圳）商贸有限公司介绍：
公司所销售产品涉及世界各名厂IC,:INFINEON(英飞凌)，XILINX、LINEAR、ALTERA(阿特拉 )、
ATMEL(爱特梅尔)、STC单片机、英特尔(Intel) 、德州仪器(TI)、飞利浦(Philips)、
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晶体管在使用上有许多要注意的最大额定值，例如最大电压、最大电流、最大功率。在超额的状态下使用，晶体管内部的结构会被破坏。每种型号的晶体管还有特有的特性，像是直流放大率hfe、NF噪讯比等，可以借由晶体管规格表或是Data Sheet得知。
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