晶体管 FGH75T65SHDTL4 UGBT
发布时间：2018/5/14
FGH75T65SHDTL4介绍：
类别 分立半导体产品
晶体管 - UGBT，MOSFET - 单
制造商 ON Semiconductor
系列 -
包装 ? 管件 ?
零件状态 在售
IGBT 类型 场截止
电压 - 集射极击穿（最大值） 650V
电流 - 集电极（Ic）（最大值） 150A
脉冲电流 - 集电极 (Icm) 300A
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on） 2.1V @ 15V，75A
功率 - 最大值 455W
开关能量 1.06mJ（开），1.56mJ（关）
输入类型 标准
栅极电荷 126nC
25°C 时 Td（开/关）值 55ns/189ns
测试条件 400V，75A，15 欧姆，15V
反向恢复时间（trr） 76ns
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-247-4
供应商器件封装 TO-247
安富利（深圳）商贸有限公司介绍：
公司所销售产品涉及世界各名厂IC,:INFINEON(英飞凌)，XILINX、LINEAR、ALTERA(阿特拉 )、
ATMEL(爱特梅尔)、STC单片机、英特尔(Intel) 、德州仪器(TI)、飞利浦(Philips)、
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在锗片的底面接上电极，在另一面插上细针并通上电流，然后让另一根细针尽量靠近它，并通上微弱的电流，这样就会使原来的电流产生很大的变化。微弱电流少量的变化，会对另外的电流产生很大的影响，这就是“放大”作用。
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