晶体管 MRFE6P3300HR3 FET
发布时间：2018/5/8
MRFE6P3300HR3介绍：
描述 FET RF 66V 863MHZ NI-860C3
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）
详细描述 射频 Mosfet LDMOS 32V 1.6A 857MHz ~ 863MHz 20.4dB 270W NI-860C3
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 射频
制造商 NXP USA Inc.
系列 -
包装 ? 带卷（TR） ?
零件状态 最後搶購
晶体管类型 LDMOS
频率 857MHz ~ 863MHz
增益 20.4dB
电压 - 测试 32V
额定电流 -
噪声系数 -
电流 - 测试 1.6A
功率 - 输出 270W
电压 - 额定 66V
封装/外壳 NI-860C3
供应商器件封装 NI-860C3
安富利（深圳）商贸有限公司介绍：
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场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。根据三极管的原理开发出的新一代放大元件，有3个极性，栅极，漏极，源极，它的特点是栅极的内阻极高，采用二氧化硅材料的可以达到几百兆欧，属于电压控制型器件。
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