晶体管 HN2A01FU 双极 (BJT)
发布时间：2018/4/16
HN2A01FU介绍：
类别 分立半导体产品
晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
系列 -
包装 ? 带卷（TR） ?
零件状态 在售
晶体管类型 2 PNP（双）
电流 - 集电极（Ic）（最大值） 150mA
电压 - 集射极击穿（最大值） 50V
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 10mA，100mA
电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 120 @ 2mA，6V
功率 - 最大值 200mW
频率 - 跃迁 80MHz
工作温度 125°C（TJ）
安装类型 表面贴装
封装/外壳 6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装 US6
安富利（深圳）商贸有限公司介绍：
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