DRAM MT41K256M8DA-125:K 存储器
发布时间：2018/4/11
MT41K256M8DA-125:K介绍：
类别 集成电路（IC）
存储器
制造商 Micron Technology Inc.
系列 -
包装 ? 托盘 ?
零件状态 在售
存储器类型 易失
存储器格式 DRAM
技术 SDRAM - DDR3L
存储容量 2Gb （256M x 8）
时钟频率 800MHz
写周期时间 - 字，页 -
访问时间 13.75ns
存储器接口 并联
电压 - 电源 1.283 V ~ 1.45 V
工作温度 0°C ~ 95°C（TC）
安装类型 表面贴装
封装/外壳 78-TFBGA
供应商器件封装 78-FBGA（8x10.5）
基本零件编号 MT41K256M8
安富利（深圳）商贸有限公司介绍：
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而且电容的充放电需要一个过程，刷新频率不可能无限提升（频障），这就导致DRAM的频率很容易达到上限，即便有先进工艺的支持也收效甚微。随着科技的进步，以及人们对超频的一种意愿，这些频障也在慢慢解决。
