DRAM MT41K256M16HA-107:E 存储器

发布时间:2018/4/11

MT41K256M16HA-107:E介绍:
类别 集成电路(IC)
存储器
制造商 Micron Technology Inc.
系列 -
包装 ? 托盘 ?
零件状态 停產
存储器类型 易失
存储器格式 DRAM
技术 SDRAM - DDR3L
存储容量 4Gb (256M x 16)
时钟频率 933MHz
写周期时间 - 字,页 -
访问时间 20ns
存储器接口 并联
电压 - 电源 1.283 V ~ 1.45 V
工作温度 0°C ~ 95°C(TC)
安装类型 表面贴装
封装/外壳 96-TFBGA
供应商器件封装 96-FBGA(9x14)
基本零件编号 MT41K256M16
安富利(深圳)商贸有限公司介绍:

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DRAM的结构可谓是简单高效,每一个bit只需要一个晶体管另加一个电容。但是电容不可避免的存在漏电现象,如果电荷不足会导致数据出错,因此电容必须被周期性的刷新(预充电),这也是DRAM的一大特点。