零件编号 IRF6215S-ND

制造商 Infineon Technologies

制造商零件编号 IRF6215S

含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）

产品属性

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 单

制造商 Infineon Technologies

系列 HEXFET?

包装 ? 管件 ?

零件状态 过期

FET 类型 P 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源极电压（Vdss） 150V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 13A（Tc）

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 66nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 860pF @ 25V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 3.8W（Ta），110W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 290 毫欧 @ 6.6A，10V

工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型 表面贴装

供应商器件封装 D2PAK

封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB