现货 代理 IRF730AS IR，IRF730AS 参数
发布时间：2017/5/10
零件编号 IRF730AS-ND
制造商 Vishay Siliconix
制造商零件编号 IRF730AS
描述 MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK
扩展描述 N-Channel 400V 5.5A (Tc) 74W (Tc) Surface Mount D2PAK
含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商 Vishay Siliconix
系列 -
包装 ? 管件 ?
零件状态 过期
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源极电压（Vdss） 400V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 5.5A（Tc）
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4.5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 22nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 600pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 74W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 1 欧姆 @ 3.3A，10V
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 D2PAK
封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
安富利（深圳）商贸有限公司，全球最专业的配单专家。一手货源!价格优势！所出的物料，绝对原装正品！放心购买！
本公司为一般纳税人，可开17%增值税票！欢迎垂询！
联系人：陈小姐 联系电话：13168704021
QQ:3004687139 QQ邮箱：3004687139@qq.com
地址：深圳市前海深港合作区前湾一路1号A栋201室
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描述 MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK
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含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单
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零件状态 过期
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源极电压（Vdss） 400V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 5.5A（Tc）
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4.5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 22nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 600pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 74W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 1 欧姆 @ 3.3A，10V
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 D2PAK
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