ZXMN2B03E6TA介绍：

制造商: Diodes Incorporated

产品种类: MOSFET  

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: SOT-26-6

通道数量: 1 Channel

晶体管极性: N-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 20 V

Id-连续漏极电流: 5.4 A

Rds On-漏源导通电阻: 40 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压: 1 V

Vgs - 栅极-源极电压: 8 V

Qg-栅极电荷: 14.5 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 1.7 W

配置: Single

通道模式: Enhancement

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

高度: 1.3 mm  

长度: 3.1 mm  

产品: MOSFET Small Signal  

系列: ZXMN2  

晶体管类型: 1 N-Channel  

宽度: 1.8 mm  

商标: Diodes Incorporated  

下降时间: 6.2 ns  

产品类型: MOSFET  

上升时间: 6.2 ns  

工厂包装数量: 3000  

子类别: MOSFETs  

典型关闭延迟时间: 33.9 ns  

典型接通延迟时间: 4.2 ns  

单位重量: 15 mg

安富利（深圳）商贸有限公司介绍：

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