STW26NM60N 集成电路IC

发布时间:2019/5/8

STW26NM60N介绍:

制造商: STMicroelectronics

产品种类: MOSFET

技术: Si

安装风格: Through Hole

封装 / 箱体: TO-247-3

通道数量: 1 Channel

晶体管极性: N-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 600 V

Id-连续漏极电流: 20 A

Rds On-漏源导通电阻: 165 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V

Vgs - 栅极-源极电压: 10 V

Qg-栅极电荷: 60 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 140 W

配置: Single

通道模式: Enhancement

商标名: MDmesh

封装: Tube

高度: 20.15 mm  

长度: 15.75 mm  

系列: STW26NM60N  

晶体管类型: 1 N-Channel Power MOSFET  

类型: Power MOSFET  

宽度: 5.15 mm  

商标: STMicroelectronics  

下降时间: 50 ns  

产品类型: MOSFET  

上升时间: 25 ns  

工厂包装数量: 30  

子类别: MOSFETs  

典型关闭延迟时间: 85 ns  

典型接通延迟时间: 13 ns  

单位重量: 38 g


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