晶体管 PSMN0R9-25YLC MOSFET
发布时间：2018/10/25
PSMN0R9-25YLC介绍：
描述 MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK
详细描述 表面贴装 N 沟道 25V 100A（Tc） 272W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商 Nexperia USA Inc.
系列 -
包装 带卷（TR）
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 25V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 0.99 毫欧 @ 25A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.95V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 110nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 6775pF @ 12V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 272W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 LFPAK56，Power-SO8
封装/外壳 SC-100，SOT-669
安富利（深圳）商贸有限公司介绍：
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