晶体管 FQPF7N65C 半导体产品
发布时间：2018/9/28
FQPF7N65C介绍：
描述 MOSFET N-CH 650V 7A TO-220F
制造商标准提前期 4 周
详细描述 通孔 N 沟道 650V 7A（Tc） 52W（Tc） TO-220F-3（Y 型）
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商 ON Semiconductor
系列 QFET?
包装 管件
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 650V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 7A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 1.4 欧姆 @ 3.5A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 36nC @ 10V
Vgs（最大值） ±30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1245pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 52W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-220F-3（Y 型）
封装/外壳 TO-220-3 全封装，成形引线
安富利（深圳）商贸有限公司介绍：
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在双极性晶体管中，射极到基极的很小的电流，会使得发射极到集电极之间，产生大电流；在场效应晶体管中，在栅极施加小电压，来控制源极和泄极之间的电流。
ON Semiconductor-ON Semiconductor (Nasdaq: ON) 推动能效创新，帮助客户减少总体能源使用。 公司提供种类全面的产品组合，具体包括高能效电源和信号管理、逻辑、分立和定制解决方案，能帮助设计工程师解决在汽车、通信、计算、消费电子、工业、LED 照明、医疗、军事/航空航天和电源应用方面的独特设计难题。 |
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