晶体管 SG2003J 双极 (BJT) - 阵列
发布时间：2018/8/23
SG2003J介绍：
描述 TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16DIP
详细描述 Bipolar (BJT) Transistor Array 7 NPN Darlington 50V 500mA Through Hole 16-CDIP
类别 分立半导体产品
晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列
制造商 Microsemi Corporation
系列 -
包装 ? 管件 ?
零件状态 在售
晶体管类型 7 NPN 达林顿
电流 - 集电极（Ic）（最大值） 500mA
电压 - 集射极击穿（最大值） 50V
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） 1.6V @ 500μA，350mA
电流 - 集电极截止（最大值） -
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 1000 @ 350mA，2V
功率 - 最大值 -
频率 - 跃迁 -
工作温度 150°C（TJ）
安装类型 通孔
封装/外壳 16-CDIP（0.300"，7.62mm）
供应商器件封装 16-CDIP
安富利（深圳）商贸有限公司介绍：
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