晶体管 STF15N60M2-EP FET
发布时间：2018/6/26
STF15N60M2-EP介绍：
描述 MOSFET N-CH 600V 11A EP TO220FP
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）
制造商标准提前期 42 周
详细描述 通孔 N 沟道 600V 11A（Tc） 25W（Tc） TO-220FP
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商 STMicroelectronics
系列 MDmesh? M2-EP
包装 ? 管件 ?
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 600V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 11A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 378 毫欧 @ 5.5A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 17nC @ 10V
Vgs（最大值） ±25V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 590pF @ 100V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 25W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-220FP
封装/外壳 TO-220-3 整包
安富利（深圳）商贸有限公司介绍：
公司所销售产品涉及世界各名厂IC,:INFINEON(英飞凌)，XILINX、LINEAR、ALTERA(阿特拉 )、
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场效应管是电压控制元件,而晶体管是电流控制元件.在只允许从信号源取较少电流的情况下，应选用场效应管;而在信号电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应选用晶体管.
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