晶体管 IXGA20N100 MOSFET - 单
发布时间：2018/6/14
IXGA20N100介绍：
描述 IGBT 1000V 40A 150W TO263
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）
详细描述 IGBT PT 1000V 40A 150W Surface Mount TO-263 (IXGA)
类别 分立半导体产品
晶体管 - UGBT，MOSFET - 单
制造商 IXYS
系列 -
包装 ? 管件 ?
零件状态 在售
IGBT 类型 PT
电压 - 集射极击穿（最大值） 1000V
电流 - 集电极（Ic）（最大值） 40A
脉冲电流 - 集电极 (Icm) 80A
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on） 3V @ 15V，20A
功率 - 最大值 150W
开关能量 3.5mJ（关）
输入类型 标准
栅极电荷 73nC
25°C 时 Td（开/关）值 30ns/350ns
测试条件 800V，20A，47 欧姆，15V
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
供应商器件封装 TO-263（IXGA）
基本零件编号 IXG*20N100
安富利（深圳）商贸有限公司介绍：
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晶体管有三个极: 双极性晶体管的三个极，分别由N型跟P型组成发射极（Emitter）、基极（Base）和集电极（Collector）; 场效应晶体管的三个极，分别是源极（Source）、栅极（Gate）和漏极（Drain）。
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