晶体管 NTS2101PT1G MOSFET
发布时间：2018/5/28
NTS2101PT1G介绍：
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商 ON Semiconductor
系列 -
包装 ? 带卷（TR） ?
零件状态 在售
FET 类型 P 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 8V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1.4A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 1.8V，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 700mV @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 6.4nC @ 5V
Vgs（最大值） ±8V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 640pF @ 8V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 290mW（Ta）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 100 毫欧 @ 1A，4.5V
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 SC-70-3（SOT323）
封装/外壳 SC-70，SOT-323
安富利（深圳）商贸有限公司介绍：
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ATMEL(爱特梅尔)、STC单片机、英特尔(Intel) 、德州仪器(TI)、飞利浦(Philip）、海力士(Hynix)、MITSUBISHI (三菱)、美国仿真器件(ADI)、国际整流器(IR)、
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沟道的极性与其漏极（drain）与源极相同，假设漏极和源极是n型，那么沟道也会是n型。沟道形成后，金氧半场效晶体管即可让电流通过，而依据施于栅极的电压值不同，可由金氧半场效晶体管的沟道流过的电流大小亦会受其控制而改变。
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