晶体管 MMBFJ113 JFET
发布时间：2018/5/22
MMBFJ113介绍：
类别 分立半导体产品
晶体管 - JFET
制造商 ON Semiconductor
系列 -
包装 ? 带卷（TR） ?
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
电压 - 击穿（V（BR）GSS） 35V
不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss） 2mA @ 15V
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关） 500mV @ 1μA
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） -
电阻 - RDS（开） 100 Ohms
功率 - 最大值 350mW
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装 SOT-23-3
基本零件编号 MBFJ113
安富利（深圳）商贸有限公司介绍：
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通过改变外加PN结的反向偏置电压，以改变PN结耗尽层的厚度，从而达到改变沟道区载流子密度以控制沟道输出电流的目的，因此，这种场效应管也被称为PN结型场效应晶体管，即PN JFET(PN Junction FET)，通常也称JFET。
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