存储器MT40A4G4FSE-083E:A DRAM

发布时间:2018/4/12

MT40A4G4FSE-083E:A介绍:
类别 集成电路(IC)
存储器
制造商 Micron Technology Inc.
系列 -
零件状态 停產
存储器类型 易失
存储器格式 DRAM
技术 SDRAM - DDR4
存储容量 16Gb (4G x 4)
时钟频率 1.2GHz
写周期时间 - 字,页 -
存储器接口 并联
电压 - 电源 1.14 V ~ 1.26 V
工作温度 0°C ~ 95°C(TC)
安富利(深圳)商贸有限公司介绍:

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DRAM的结构可谓是简单高效,每一个bit只需要一个 晶体管另加一个电容。但是电容不可避免的存在漏电现象,如果电荷不足会导致数据出错,因此电容必须被周期性的 刷新(预充电),这也是DRAM的一大特点。而且电容的充放电需要一个过程,刷新频率不可能无限提升(频障),这就导致DRAM的频率很容易达到上限,即便有先进工艺的支持也收效甚微。随着科技的进步,以及人们对 超频的一种意愿,这些频障也在慢慢解决。