分立半导体产品 IKW40N60H3FKSA1 晶体管
发布时间:2018/4/10
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IKW40N60H3FKSA1介绍;
描述 IGBT 600V 80A 306W TO247-3
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)
制造商标准提前期 52 周
详细描述 IGBT Trench Field Stop 600V 80A 306W Through Hole PG-TO247-3
类别 分立半导体产品
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单
制造商 Infineon Technologies
系列 TrenchStop?
包装 ? 管件 ?
零件状态 在售
IGBT 类型 沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(最大值) 600V
电流 - 集电极(Ic)(最大值) 80A
脉冲电流 - 集电极 (Icm) 160A
不同 Vge,Ic 时的 Vce(on) 2.4V @ 15V,40A
功率 - 最大值 306W
开关能量 1.68mJ
输入类型 标准
栅极电荷 223nC
25°C 时 Td(开/关)值 19ns/197ns
测试条件 400V,40A,7.9 欧姆,15V
反向恢复时间(trr) 124ns
工作温度 -40°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-247-3
供应商器件封装 PG-TO247-3
安富利(深圳)商贸有限公司介绍;
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晶体管(transistor)是一种固体半导体器件,具有检波、号来控制自身的开合,而且开关速度可以非常快,实验室中的切换速度可达100GHz以上。