晶体管 - FET DMG3420U-7 MOSFET - 单
发布时间：2018/3/28
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商 Diodes Incorporated
系列 -
包装 ? 带卷（TR） ?
零件状态 不適用於新設計
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 5.47A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 1.8V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.2V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 5.4nC @ 4.5V
Vgs（最大值） ±12V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 434.7pF @ 10V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 740mW（Ta）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 29 毫欧 @ 6A，10V
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 SOT-23-3
封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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